1. MMBZ5237ELT1G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBZ5237ELT1G 

产品描述

Zener Diodes 8.2V 225mW

内部编号

277-MMBZ5237ELT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:375000
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:3000
最小起订量:1
加拿大温哥华
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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MMBZ5237ELT1G产品详细规格

规格书 MMBZ5237ELT1G datasheet 规格书
MMBZ/SZMMBZ52xxELT1G Series
MMBZ5237ELT1G datasheet 规格书
文档 Copper Wire 08/Jun/2009
Multiple Devices 21/Jan/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 08/Jun/2009
标准包装 3,000
电压 - 齐纳(NOM)(VZ) 8.2V
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 900mV @ 10mA
电流 - 反向漏VR 3µA @ 6.5V
公差 ±5%
功率 - 最大 225mW
阻抗(最大)(ZZT) 8 Ohm
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
操作温度 -55°C ~ 150°C
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
类型 Voltage Regulator
标称齐纳电压 8.2
最高工作温度 150
最大齐纳阻抗 8
最大反向漏泄电流 3
封装 Tape and Reel
欧盟RoHS指令 Compliant
齐纳电压容差 5%
最大功率耗散 300
最低工作温度 -65
配置 Single
测试电流 20
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - Vr时反向漏电 3µA @ 6.5V
电压 - 齐纳(额定值)(Vz ) 8.2V
电压 - 正向(Vf) (最大) 900mV @ 10mA
标准包装 3,000
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
工作温度 -55°C ~ 150°C
功率 - 最大 225mW
阻抗(最大值)(Zzt ) 8 Ohm
安装类型 Surface Mount
容差 ±5%
其他名称 MMBZ5237ELT1GOS
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 Zener Diodes
齐纳电流 10 mA
齐纳电压 8.2 V
最大齐纳阻抗 8 Ohms
最大反向漏泄电流 3 uA
安装风格 SMD/SMT
电压容差 5 %
功率耗散 300 mW
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 SOT-23
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
安装 Surface Mount
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 SOT-23
冯页次 0.003 mA
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
拐点阻抗 8Ohm
齐纳电压(典型值) 8.2V
齐纳测试电流 20mA
删除 Compliant

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